Chapter 9. Model Editor - 소자 특성 변경하기
※ 소자의 고유한 특성을 수정하는 방법을 알아보자.
1. 회로도
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| ## 사용 부품 리스트 ## VDC/source 0/source R/analog D1N750/diode |
2. 시뮬레이션 설정
DC sweep을 통해 전압원 V1의 값을 변화시킨다.
1~10V까지 변화시키며 0.02씩 증가시키도록 한다.
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프로브를 배치하고, 시뮬레이션을 실행하면 다음과 같은 결과를 얻을 수 있다.
3. 실행 결과
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V(out)의 크기를 보면 처음에는 선형적으로 증가하다가 4.7V 근처에서 다이오드에 의해 breakdown이 일어남을 볼 수 있다.
이는 다이오드의 소자 특성에 의한 것으로 breakdown voltage가 4.7V로 설계되어 있기 때문이다.
해당 다이오드의 breakdown voltage를 8V로 높혀보자.
다시 Capture창의 회로도로 돌아와서 배치되어 있는 D1N750소자를 선택하고 마우스 우클릭을 하여 Edit Pspice Model을 선택한다.
그러면 Model Editor가 실행되게 된다.
실행된 Model Editor 창의 아래쪽을 보면 해당 모델의 텍스트로 이루어진 소스코드를 볼 수있다.
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여기서 모델의 이름이 D1N750이며, 이 모델의 타입이 D(다이오드)임을 확인 할 수 있다.
다음 괄호안의 소스코드가 이 소자의 특성을 표현한 부분이다. 여기서 Bv=4.7 을 찾는다.
이는 Breakdown Voltage가 4.7V 임을 표현한다. 이부분을 8로 수정해 준다.
수정이 끝나면 저장한뒤 Model Editor를 종료한다.
다시한번 시뮬레이션을 실행시키면, 8V근처에서 breakdown이 일어남을 볼 수 있다.
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소자의 값에 따른 시뮬레이션 결과를 모두 표현해 보자.
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시뮬레이션 세팅에서 Options 항목중에 Parametric sweep을 선택한다.
우측에서 Model Parameter를 선택하고, 모델의 타입은 D, 이름은 D1N750, 변화시킬 파라미터는 Bv를 적는다.
아래쪽에 변화시킬 값으로는 Value list를 선택하고
4.7v 8v
라고 적어준다. 이처럼 서로 다른 값은 스페이스나 콤마로 구분이 가능하다.
설정을 마치고 시뮬레이션을 실행하면 다음과 같은 결과를 얻을 수 있다.
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한번은 4.7v에서, 한번은 8v에서 breakdown이 일어남을 볼 수 있다.
